新技術(shù)可讓金屬鉑“化身”半導體
日本研究人員最新研究發(fā)現，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，可以擁有類(lèi)似硅等半導體的特性。研究人員認為，這一發(fā)現挑戰了對于半導體材料的傳統認知，有助于推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域發(fā)展。
傳統意義上，金屬和半導體被嚴格區分，金屬一般導電性能好，而半導體介于絕緣體和導體之間，導電性可受控制。用硅等常見(jiàn)半導體材料制造的晶體管廣泛應用于各種電子設備中。
京都大學(xué)研究小組發(fā)現，在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，它可以像半導體一樣，通過(guò)外部電壓控制電阻。
此外，研究人員還發(fā)現鉑能夠大幅調節和控制“自旋軌道耦合”這一效應。自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動(dòng)之間的相互作用，在自旋電子學(xué)等研究中扮演關(guān)鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會(huì )涉及這一效應。
研究小組稱(chēng)，這一發(fā)現與傳統的固體物理學(xué)常識不符，將有助于電子學(xué)和自旋電子學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展。這一研究成果已發(fā)表在新一期英國《自然·通訊》雜志上。(華義)
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